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Si4866DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.015
4000
0.012
0.009
V GS = 2.5 V
3200
2400
C iss
0.006
0.003
0.000
V GS = 4.5 V
1600
800
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
12
6
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
5
V DS = 6 V
I D = 17 A
1.4
V GS = 4.5 V
I D = 17 A
4
1.2
3
1.0
2
0.8
1
0
0.6
0
5
10
15
20
25
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
50
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.040
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.032
T J = 150 °C
10
1
T J = 25 °C
0.024
0.016
0.008
0.000
I D = 17 A
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71699
S09-0228-Rev. D, 09-Feb-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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